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供求內(nèi)存IC(4Gb)IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 動態(tài)隨機存取存儲器

供求內(nèi)存IC(4Gb)IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 動態(tài)隨機存取存儲器

來源:本站時間:2023-12-06瀏覽數(shù):

明佳達公司供應,收購內(nèi)存IC IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 動態(tài)隨機存取存儲器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz供求型號:IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI批次:新封裝:134-TFBGA、168-VFBGA長期高價現(xiàn)金回收個人和工廠庫存電子元件,只回收…

明佳達公司供應,收購內(nèi)存IC IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 動態(tài)隨機存取存儲器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz


供求型號:IS43LD32128B-18BLIIS43LD32128B-18BPLI

批次:新

封裝:134-TFBGA、168-VFBGA


長期高價現(xiàn)金回收個人和工廠庫存電子元件,只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等。


產(chǎn)品介紹:

IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI是 4Gbit CMOS LPDDR2 DRAM。該器件由 8 組 32 位的 16 兆字組構成。該產(chǎn)品采用雙數(shù)據(jù)速率架構來實現(xiàn)高速運行。雙數(shù)據(jù)速率架構本質(zhì)上是一種 4N 預取架構,其接口設計用于在 I/O 引腳上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。該產(chǎn)品提供與時鐘上升沿和下降沿完全同步的操作。數(shù)據(jù)路徑采用內(nèi)部流水線和 4n 位預取,以實現(xiàn)極高的帶寬。


產(chǎn)品屬性

存儲器類型: 易失  

存儲器格式: DRAM  

技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4  

存儲容量: 4Gb  

存儲器組織:128M x 32  

存儲器接口: HSUL_12  

時鐘頻率; 533 MHz  

寫周期時間 - 字,頁: 15ns  

訪問時間: 5.5 ns  

電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V  

工作溫度: -40°C ~ 85°C(TC)  

安裝類型: 表面貼裝型 


有多余庫存需處理的,歡迎致電聯(lián)系陳先生:

QQ:1668527835

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