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【分銷IGBT晶體管】IKW25N120CS7和IKW25N120CS7XKSA1 帶有反并聯(lián)二極管的 1200 V/25 A IGBT7 S7

【分銷IGBT晶體管】IKW25N120CS7和IKW25N120CS7XKSA1 帶有反并聯(lián)二極管的 1200 V/25 A IGBT7 S7

來源:本站時(shí)間:2024-01-02瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝【分銷IGBT晶體管】IKW25N120CS7和IKW25N120CS7XKSA1 采用 TO-247 封裝、帶有反并聯(lián)二極管的 1200 V/25 A IGBT7 S7。IKW25N120CS7器件說明1200 V/25 A TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管適用于硬開關(guān),采用 TO-247 封裝,帶有EC7 二極管。該產(chǎn)品…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝【分銷IGBT晶體管】IKW25N120CS7和IKW25N120CS7XKSA1 采用 TO-247 封裝、帶有反并聯(lián)二極管的 1200 V/25 A IGBT7 S7。


IKW25N120CS7器件說明

1200 V/25 A TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管適用于硬開關(guān),采用 TO-247 封裝,帶有EC7 二極管。該產(chǎn)品具備低 VCEsat,在目標(biāo)應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通損耗,同時(shí),其中非常軟的快速二極管有助于將開關(guān)損耗降至最低,從而降低總體損耗。


特征描述

極低 VCEsat

優(yōu)秀的可控性

滿電流續(xù)流二極管,軟度提升

非常堅(jiān)固,能抵抗惡劣條件且通過 HV-H3TRB試驗(yàn)

短路時(shí)間:8 us

參數(shù)分布偏差小

最高工作結(jié)溫:175°C


優(yōu)勢

IGBT 損耗更低,系統(tǒng)效率更高,帶來更高功率輸出

功率密度提高,無需重新設(shè)計(jì)散熱器

能夠輕松便捷地替換前代 T2 產(chǎn)品系列

即使在惡劣的工作條件下,仍具有較高的器件可靠性

易設(shè)計(jì),以輕松滿足 EMI 要求


應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)


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