HMC7911LP5E：17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器其關鍵特性：轉換增益：18 dB（典型值）邊帶抑制：30 dBc（典型值）針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：2 dBm（典型值）輸出三階交調截點(OIP3)：33 dBm（典型值）RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）IF輸入端…
HMC7911LP5E：17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器
其關鍵特性：
轉換增益：18 dB（典型值）
邊帶抑制：30 dBc（典型值）
針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：2 dBm（典型值）
輸出三階交調截點(OIP3)：33 dBm（典型值）
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
IF輸入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
RF回波損耗：13 dB（典型值）
LO回波損耗：10 dB（典型值）
HMC7911LP5E采用32引腳、5 mm × 5 mm的LFCSP封裝，這種封裝形式使得器件更加緊湊，適合高密度表面貼裝應用?。
產品簡介
HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。該器件提供14 dB的小信號轉換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。
HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驅動放大器驅動LO的I/Q混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶濾波要求。HMC7911LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術。
技術規(guī)格
產品：HMC7911LP5E
類型：上變頻器
射頻：17.5 GHz to 19.7 GHz
中頻：DC to 3.5 GHz
LO頻率：7.1 GHz to 11.6 GHz
增益：14 dB
NF—噪聲系數：22 dB
工作電源電壓：3.3 V, 5 V
工作電源電流：110 mA, 225 mA
安裝風格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：QFN-32
工作溫度：- 40°C 至 + 85°C
OIP3 - 三階截點：31 dBm
Pd-功率耗散：1.7 W
應用領域
HMC7911LP5E適用于多種應用場景，包括：
點對點和點對多點無線電
軍用雷達、EW和ELINT
衛(wèi)星通信
傳感器
其I/Q混頻器拓撲結構降低了干擾邊帶濾波要求，使得HMC7911LP5E適合用于需要小型化和高性能的系統(tǒng)中?。
聯系我們
如果您需要【HMC7911LP5E射頻混頻器】樣品或采購詢價，可以通過訪問官網 m.xm-car.cn 聯系明佳達電子.
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
![[供應] LTM8049IY (ADI) 雙路 SEPIC / 負輸出 μModule DC/DC 轉換器](/upload/202504/15/202504151415252248.jpg)
