最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和回收英飛凌科技分立半導(dǎo)體 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN? 600V柵極注入技術(shù) (GIT) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷速度，開(kāi)關(guān)損耗最小。介紹該系列GaN增強(qiáng)模式功率晶體管采用ThinPAK 5x6表面貼裝封裝，非常適合用于需要無(wú)需散…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和回收英飛凌科技分立半導(dǎo)體 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN? 600V柵極注入技術(shù) (GIT) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷速度，開(kāi)關(guān)損耗最小。
介紹
該系列GaN增強(qiáng)模式功率晶體管采用ThinPAK 5x6表面貼裝封裝，非常適合用于需要無(wú)需散熱片的緊湊型器件的應(yīng)用。英飛凌科技CoolGaN? 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm2小尺寸和1mm薄型高度，因此非常適合用于實(shí)現(xiàn)高功率密度。
特性
增強(qiáng)模式晶體管，常關(guān)型開(kāi)關(guān)
采用小尺寸無(wú)引線SMD封裝的GaN HEMT
GaN定制認(rèn)證
超快開(kāi)關(guān)速度
無(wú)反向恢復(fù)電荷
能夠反向?qū)?/span>
低柵極電荷、低輸出電荷
出色的換向耐受性
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
支持更高工作頻率
系統(tǒng)成本降低
降低EMI
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（JESD47和JESD22），適用于工業(yè)應(yīng)用
無(wú)鉛、無(wú)鹵，符合RoHS指令
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): GaN
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV
Qg-柵極電荷: 3.2 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 55.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolGaN
系列: CoolGaN 600V
配置: Single
下降時(shí)間: 14 ns
上升時(shí)間: 12 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
公司首頁(yè)：m.xm-car.cn
時(shí)間：2025-04-21
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