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供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

來源：本站時間：2022-08-22瀏覽數(shù)：

明佳達供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET，采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。

明佳達供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

產(chǎn)品型號：IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1

品牌：Infineon

批號：21+

封裝：TO-247-3

描述：采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

特征描述

出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

高閾值電壓，Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓，實現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動

寬柵源電壓范圍

堅固的低損耗體二極管，適用于硬開關(guān)

關(guān)斷損耗受溫度影響小

.XT擴散焊技術(shù)，可實現(xiàn)一流的熱性能

優(yōu)勢

最高效率

減少冷卻工作

更高頻率的運行

增加功率密度

降低系統(tǒng)的復(fù)雜程度

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電池化成

電動汽車快速充電

電機控制和驅(qū)動

太陽能系統(tǒng)解決方案

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