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英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H TO-247-4封裝的1200V CoolSiC

英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H TO-247-4封裝的1200V CoolSiC

來源:本站時間:2022-08-22瀏覽數(shù):

深圳明佳達電子公司全新原裝出售英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封裝的1200V CoolSiC,聯(lián)系qq:1668527835,電話:13410018555,郵箱:chen13410018555@163.com,公司首頁:m.xm-car.cn

深圳明佳達電子公司全新原裝出售英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封裝的1200V CoolSiC


供應(yīng)型號:IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1

批號:21+

描述:通孔 N 通道 1200 V 19A(Tc) 94W(Tc) PG-TO247-4-1


規(guī)格

系列 CoolSiC?  

包裝 管件  

FET 類型 N 通道  

技術(shù) SiCFET(碳化硅)  

漏源電壓(Vdss) 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 19A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 182 毫歐 @ 6A,18V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 5.7V @ 2.5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 13 nC @ 18 V  

Vgs(最大值) +23V,-7V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 454 pF @ 800 V  

FET 功能 -  

功率耗散(最大值) 94W(Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-1  

封裝/外殼 TO-247-4 


特征描述

一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗

基準高閾值電壓,Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓,簡單輕松地進行柵極驅(qū)動

柵源電壓范圍寬

損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向

開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響

驅(qū)動源引腳,優(yōu)化開關(guān)性能


應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案


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