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集成驅(qū)動(dòng)器 LMG3411R070 LMG3411R070RWHR P通道 12A 32-VQFN

來源：本站時(shí)間：2022-08-26瀏覽數(shù)：

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型號(hào)：LMG3411R070 LMG3411R070RWHR

年份：21+

封裝：VQFN32

說明：

具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR070 GaN 功率級(jí)使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)以將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%，以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴以降低 EMI。這些優(yōu)勢(shì)支持密集且高效的拓?fù)?，例如圖騰柱 PFC。

LMG341xR070 通過集成一組獨(dú)特的功能來簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供了一種智能替代方案。集成柵極驅(qū)動(dòng)可實(shí)現(xiàn) 100V/ns 開關(guān)，Vds 振鈴接近零，<100ns 電流限制自我保護(hù)以防止意外擊穿事件，過熱關(guān)斷防止熱失控，系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控能力。

產(chǎn)品屬性

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers

類型: High-Side, Low-Side

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QFN-32

激勵(lì)器數(shù)量: 1 Driver

輸出端數(shù)量: 1 Output

電源電壓-最小: 9.5 V

電源電壓-最大: 18 V

上升時(shí)間: 15 ns

下降時(shí)間: 4.2 ns

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: LMG3411R070

最大關(guān)閉延遲時(shí)間: 10 ns

最大開啟延遲時(shí)間: 12 ns

濕度敏感性: Yes

工作電源電流: 43 mA

輸出電壓: 5 V

產(chǎn)品類型: Gate Drivers

傳播延遲—最大值: 36 ns

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 70 mOhms

子類別: PMIC - Power Management ICs

商標(biāo)名: GaN

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