ADMV1018 是一款硅鍺(SiGe)、微波、上變頻器和下變頻器,針對工作頻率范圍為24.0 GHz至29.5 GHz的5G無線電設計進行了優(yōu)化。
概述
ADMV1018 是一款硅鍺(SiGe)、微波、上變頻器和下變頻器,針對工作頻率范圍為24.0 GHz至29.5 GHz的5G無線電設計進行了優(yōu)化。
上變頻器提供兩種頻率轉換模式。該器件能夠從差分基帶同相/正交(I/Q)輸入信號直接轉換為RF,也能夠從復雜中頻(IF)輸入信號進行單邊帶上變頻。差分基帶I/Q輸入路徑可以禁用,2 GHz至9.5 GHz的調制單端復數中頻信號可以饋入中頻路徑。然后,這些信號可以上變頻至24.0 GHz至29.5 GHz,同時抑制不需要的邊帶,抑制幅度通常大于25 dBc。串行端口接口(SPI)提供正交相位調整,以實現(xiàn)最佳邊帶抑制。此外,當不需要進行載波饋通優(yōu)化時,SPI接口允許關斷輸出包絡檢波器以降低功耗。
下變頻器提供兩種頻率轉換模式。該器件能夠對差分基帶I/Q輸出信號進行直接正交解調,以及鏡像抑制下變頻至單端復數IF輸出載波頻率。I/Q基帶輸出共模電壓可在0.75 V至2.15 V范圍內編程,SPI提供正交相位微調,以優(yōu)化I/Q解調性能?;蛘撸梢越没鶐/Q輸出,I/Q信號可以通過片內有源巴倫傳遞,以提供2 GHz至9.5 GHz范圍內的兩路單端復數IF輸出。當器件用作鏡像抑制下變頻器時,無用鏡像項通常被抑制至25 dBc以上。ADMV1018提供平方律功率檢波器,可以監(jiān)控混頻器輸入端的功率電平。檢波器輸出通過外部自動增益控制(AGC)環(huán)路對RF數字步進衰減器(DSA)進行閉環(huán)控制。
ADMV1018上變頻器和下變頻器采用緊湊型散熱增強型9 mm × 8 mm柵格陣列(LGA)封裝。這種LGA封裝能夠從封裝頂部對ADMV1018進行散熱,從而實現(xiàn)最高效的散熱。ADMV1018的工作溫度范圍為40°C至+95°C。
特性
RF 輸入/輸出頻率范圍:24 GHz 至 29.5 GHz,將 n257、n258 和 n261 頻段集成在一個尺寸內
1.5 GHz RF 帶寬
兩種升頻轉換模式
從差分基帶 I/Q 或具有優(yōu)化 IF 范圍的單端復合 IF 直接轉換為 RF 單邊帶升頻
兩種降頻轉換模式
從 RF 到差分基帶 I/Q 直接轉換
鏡像抑制降頻轉換或單端復合 IF
LO 雙倍頻器 (x2) 和四倍頻器 (x4) 模式
匹配的 50? RF 信號和 LO 端口
優(yōu)化的封裝可改善熱性能
符合 3GPP 規(guī)范
應用
? 5G應用
? 點對點微波無線電
? 雷達和電子戰(zhàn)系統(tǒng)
? 儀器儀表和自動測試設備
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