DMWS120H100SM4 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能。
概述：
DMWS120H100SM4 1200V N溝道碳化硅(SiC)功率MOSFET旨在最大限度地降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能。它可以在工業(yè)電機驅動器、光伏能源系統(tǒng)、直流-直流轉換器，以及數(shù)據(jù)中心和電信電源中實現(xiàn)高密度和高效率。該器件的低導通電阻，加上52nC 15V柵極驅動時的總柵極電荷(Qg)，使系統(tǒng)設計人員能夠最大限度地提高效率，同時確保最大限度地降低耗散功率。TO247-4封裝在連接到源極的第四條引線中包含一個額外的開爾文溫度檢測引腳，提供了優(yōu)化開關性能的能力。DMWS120H100SM4符合AEC-Q101標準，在通過IATF 16949認證的工廠中制造，額定結溫(TJ)為+150° C。
特性
低導通電阻
高BVDSS 額定值，適用于電源應用
低輸入電容
無鉛表面處理；符合RoHS指令
無鹵無銻，綠色器件
規(guī)格
封裝類型為TO247-4
封裝材料為模壓塑料，綠色模復合材料
UL可燃性等級：94V-0
端子霧錫表面處理，通過銅引線框架退火
可根據(jù)MIL-STD-202方法208進行焊接
重量：6.6克（近似值）
應用
數(shù)據(jù)中心和電信電源
工業(yè)電機驅動器
直流-直流轉換器
太陽能逆變器
電動汽車電池充電器
引腳圖
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