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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管

來源:本站時間:2024-07-01瀏覽數(shù):

日前,威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)設(shè)計,具有高浪涌電流保護(hù)能力,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低,有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能…

日前,威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)設(shè)計,具有高浪涌電流保護(hù)能力,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低,有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性。


日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件,采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由于采用MPS結(jié)構(gòu)——利用激光退火背面減薄技術(shù)——二極管電容電荷低至28 nC,正向壓降減小為1.35 V。此外,器件25 C下典型反向漏電流僅為2.5 μA,因此降低了導(dǎo)通損耗,確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。與超快恢復(fù)二極管不同,第三代器件幾乎沒有恢復(fù)拖尾,從而能夠進(jìn)一步提升效率。


碳化硅二極管典型應(yīng)用包括FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器AC/DC功率因數(shù)校正(PFC)和 DC/DC超高頻輸出整流,適用于光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)驅(qū)動器和工具、數(shù)據(jù)中心等。這些嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境中,器件工作溫度可達(dá)+175°C,正向額定浪涌電流保護(hù)能力高達(dá)260 A。此外,D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI  600的塑封料,確保電壓升高時優(yōu)異的絕緣性能。


器件具有高可靠性,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,通過2000小時高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試。

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Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一,這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計算、消費(fèi)、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計至關(guān)重要。


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