深圳市明佳達電子有限公司長期回收安森美半導體碳化硅模塊 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC，7 歐姆 SiC M3S MOSFET，1200 V，4 封裝全橋拓撲結構，F(xiàn)2 封裝介紹NXH007P120M3F2PTHG是一款電源模塊，采用 F2 封裝，包含 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET 全橋和帶 HPS DBC 的熱敏電…
深圳市明佳達電子有限公司長期回收安森美半導體碳化硅模塊 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC，7 歐姆 SiC M3S MOSFET，1200 V，4 封裝全橋拓撲結構，F(xiàn)2 封裝
介紹
NXH007P120M3F2PTHG是一款電源模塊，采用 F2 封裝，包含 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET 全橋和帶 HPS DBC 的熱敏電阻。SiC MOSFET 開關采用 M3S 技術，由 18V-20V 柵極驅動。
特性
出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]
15V 至 18V 柵極驅動
7 歐姆 / 1200 V M3S SiC MOSFET 全橋
應用
直流-交流轉換
直流-直流轉換
AC-DC 轉換
NXH007F120M3F2PTHG 原理圖
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