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安森美推出新一代EliteSiC M3e MOSFET,加速碳化硅創(chuàng)新,助力電氣化轉(zhuǎn)型

安森美推出新一代EliteSiC M3e MOSFET,加速碳化硅創(chuàng)新,助力電氣化轉(zhuǎn)型

來源:本站時間:2024-07-23瀏覽數(shù):

7 月 23 日 - 面對不斷升級的氣候危機和急劇增長的全球能源需求,世界各地的政府和企業(yè)都在為宏大的氣候目標(biāo)而攜手努力,致力于減輕環(huán)境影響,實現(xiàn)可持續(xù)未來。其中的關(guān)鍵在于推進電氣化轉(zhuǎn)型以減少碳排放,并積極利用可再生能源。為加速達成這個全球轉(zhuǎn)型目標(biāo),安森美(納…

7 月 23 日 - 面對不斷升級的氣候危機和急劇增長的全球能源需求,世界各地的政府和企業(yè)都在為宏大的氣候目標(biāo)而攜手努力,致力于減輕環(huán)境影響,實現(xiàn)可持續(xù)未來。其中的關(guān)鍵在于推進電氣化轉(zhuǎn)型以減少碳排放,并積極利用可再生能源。為加速達成這個全球轉(zhuǎn)型目標(biāo),安森美(納斯達克股票代號:ON)推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺 EliteSiC M3e MOSFET,并計劃將在 2030 年前推出多代新產(chǎn)品。


在這一過程中,EliteSiC M3e MOSFET 將發(fā)揮關(guān)鍵作用,以更低的千瓦成本實現(xiàn)下一代電氣系統(tǒng)的性能和可靠性,從而加速普及電氣化并強化實施效果。由于能夠在更高的開關(guān)頻率和電壓下運行,該平臺可有效降低電源轉(zhuǎn)換損耗,這對于電動汽車動力系統(tǒng)、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車和工業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。此外,EliteSiC M3e MOSFET 將促進數(shù)據(jù)中心向更高效、更高功率轉(zhuǎn)變,以滿足可持續(xù)人工智能引擎指數(shù)級增長的能源需求。


可信賴平臺實現(xiàn)效率代際飛躍


憑借安森美獨特的設(shè)計和制造能力,EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且經(jīng)過實際驗證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比,該平臺能夠?qū)?dǎo)通損耗降低 30%,并將關(guān)斷損耗降低多達 50%[ 基于內(nèi)部與EliteSiC M3T MOSFET的對比測試]。通過延長 SiC 平面 MOSFET 的壽命并利用 EliteSiC M3e 技術(shù)實現(xiàn)出色的性能,安森美可以確保該平臺的堅固性和穩(wěn)定性,使其成為關(guān)鍵電氣化應(yīng)用的首選技術(shù)。


EliteSiC M3e MOSFET 還提供超低導(dǎo)通電阻 (RSP) 和抗短路能力,這對于占據(jù) SiC 市場主導(dǎo)地位的主驅(qū)逆變器應(yīng)用來說至關(guān)重要。采用安森美先進的分立和功率模塊封裝,1200V M3e 裸片與之前的 EliteSiC 技術(shù)相比,能夠提供更大的相電流,使同等尺寸主驅(qū)逆變器的輸出功率提升約 20%。換句話說,在保持輸出功率不變的情況下,新設(shè)計所需的 SiC 材料可以減少 20%,成本更低,并且能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更輕、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計。


此外,安森美還提供更廣泛的智能電源技術(shù),包括柵極驅(qū)動器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電子保險絲等,并均可與 EliteSiC M3e 平臺配合使用。通過這些安森美優(yōu)化和協(xié)同設(shè)計的功率開關(guān)、驅(qū)動器和控制器的端到端一體化技術(shù)組合,可實現(xiàn)多項先進特性集成,并降低整體系統(tǒng)成本。


加速未來電源技術(shù)發(fā)展

 

未來十年,全球能源需求預(yù)計會急劇增加,因此提高半導(dǎo)體的功率密度變得至關(guān)重要。安森美正積極遵循其碳化硅技術(shù)發(fā)展藍圖,從裸片架構(gòu)到新型封裝技術(shù)全面引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新,以此持續(xù)滿足行業(yè)對更高功率密度的需求。


每一代新的碳化硅技術(shù)都會優(yōu)化單元結(jié)構(gòu),以在更小的面積上高效傳輸更大的電流,從而提高功率密度。結(jié)合公司自有的先進封裝技術(shù),安森美能最大化提升性能并減小封裝尺寸。通過將摩爾定律引入碳化硅技術(shù)的開發(fā),安森美可以并行研發(fā)多代產(chǎn)品,從而加速實現(xiàn)其發(fā)展路線圖,以在 2030 年前加速推出多款 EliteSiC 新產(chǎn)品。


“憑借數(shù)十年來在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域積累的深厚經(jīng)驗,我們不斷突破工程和制造能力的邊界,以滿足全球日益增長的能源需求?!鞍采离娫捶桨甘聵I(yè)群技術(shù)營銷高級總監(jiān) Mrinal Das 表示,”碳化硅的材料、器件和封裝技術(shù)之間存在很強的相互依賴性。對這些關(guān)鍵環(huán)節(jié)的完全掌控,使安森美能夠更好地把握設(shè)計和制造過程,從而更快地推出新一代產(chǎn)品?!?/span>


EliteSiC M3e MOSFET 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247-4L 封裝,樣品現(xiàn)已上市。


關(guān)于安森美(onsemi)

安森美(onsemi, 納斯達克股票代號:ON)致力推動顛覆性創(chuàng)新,打造更美好的未來。公司關(guān)注汽車和工業(yè)終端市場的大趨勢,加速推動汽車功能電子化和汽車安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等細分領(lǐng)域的變革創(chuàng)新。安森美提供高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合以及智能電源和智能感知技術(shù),以解決全球最復(fù)雜的挑戰(zhàn),引領(lǐng)創(chuàng)造更安全、更清潔、更智能的世界。

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