概述：ISK018NE1LM7是業(yè)界首款15 V額定溝槽功率MOSFETs產(chǎn)品系列的一部分，具有2.15 mOhm的極低RDS(on )，同時提供超過500 A的脈沖電流能力，與外殼底部的典型熱阻結(jié)(RthJC)為1.6 K/W，4 mm2的小型封裝可顯著節(jié)省空間，PCB布局靈活，同時改善了外形尺寸。特征N通道，邏輯電…
概述：
ISK018NE1LM7是業(yè)界首款15 V額定溝槽功率MOSFETs產(chǎn)品系列的一部分，具有2.15 mOhm的極低RDS(on )，同時提供超過500 A的脈沖電流能力，與外殼底部的典型熱阻結(jié)(RthJC)為1.6 K/W，4 mm2的小型封裝可顯著節(jié)省空間，PCB布局靈活，同時改善了外形尺寸。
特征
N通道，邏輯電平
極低的導(dǎo)通電阻(開)
超耐熱
100%雪崩測試
無鉛電鍍；RoHS順從性
不含鹵素，符合IEC61249-2-21
優(yōu)化高性能SMPS，例如同步整流
潛在應(yīng)用
? SMPS
? 計算機網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器
? 數(shù)據(jù)通信
? 人工智能
產(chǎn)品名稱：ISK018NE1LM7AULA1
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：15 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Ta），129A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 20A，7V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 106μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：13.6 nC @ 7 V
Vgs（最大值）：±7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 7.5 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），39W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-VSON-6-1
封裝/外殼：6-PowerVDFN
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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