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供應(yīng) 英飛凌 FF55MR12W1M1HB70 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

供應(yīng) 英飛凌 FF55MR12W1M1HB70 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

來源:本站時(shí)間:2024-09-26瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 FF55MR12W1M1HB70 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊產(chǎn)品描述FF55MR12W1M1HB70 是 1200V 55mΩ EasyDUAL? 1B 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊。特點(diǎn)寬 RBSOA雜散電感極低更大的柵極驅(qū)動電壓窗口PressFIT 引腳高導(dǎo)熱性優(yōu)勢最大柵極源極電壓…

深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 FF55MR12W1M1HB70 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊


產(chǎn)品描述

FF55MR12W1M1HB70 是 1200V 55mΩ EasyDUAL? 1B 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊。


特點(diǎn)

寬 RBSOA

雜散電感極低

更大的柵極驅(qū)動電壓窗口

PressFIT 引腳

高導(dǎo)熱性


優(yōu)勢

最大柵極源極電壓擴(kuò)展至 +23 V 和 -10 V

過載條件下的 Tvjop 高達(dá) 175°C

最佳性價(jià)比,可降低系統(tǒng)成本

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