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【供應(yīng)】英飛凌CoolGaN?晶體管 GS-065-018-2-L-MR:具有極高的效率和可靠性

【供應(yīng)】英飛凌CoolGaN?晶體管 GS-065-018-2-L-MR:具有極高的效率和可靠性

來源:本站時(shí)間:2024-10-08瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供應(yīng)】英飛凌 GS-065-018-2-L-MR CoolGaN?晶體管650 V ≤G3,具有極高的效率和可靠性。概述:GS-065-018-2-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。 采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供應(yīng)】英飛凌 GS-065-018-2-L-MR CoolGaN?晶體管650 V ≤G3,具有極高的效率和可靠性。


概述:

GS-065-018-2-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。 采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的理想功耗。


型號(hào):GS-065-018-2-L-MR

年份:24+

封裝:PDFN 8x8

描述:表面貼裝型 N 通道 650 V 18A(Tc) 8-PDFN(8x8)

image.png

特征描述

增強(qiáng)型 HEMT – 常閉

超快開關(guān)

無反向恢復(fù)電荷

具有反向?qū)芰?/span>

低柵極電荷、低輸出電荷

卓越的換向強(qiáng)度

符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD47、JESD22)

底部冷卻

零反向恢復(fù)損耗

源極檢測(cè)焊盤可實(shí)現(xiàn)最佳柵極驅(qū)動(dòng)

快速、可控的下降和上升時(shí)間

符合 RoHS 3(6+4) 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用領(lǐng)域

AC-DC

USB供電-USB PD適配器和充電器

電源

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