鎧俠計劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM 內(nèi)存功耗更低且位密度更高的同時較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲器。
11 月 8 日消息，鎧俠日本當?shù)貢r間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲制造技術開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎設施研究開發(fā)項目 / 先進半導體制造技術開發(fā)”計劃采納。
鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預計將變得極其龐大，從而導致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。
鎧俠計劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM 內(nèi)存功耗更低且位密度更高的同時較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲器。這不僅可提高存儲器利用效率，還有助于節(jié)能。
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鎧俠（Kioxia）主要從事閃存（FLASH）及固態(tài)硬盤（SSD）的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。作為全球領先的存儲器解決方案供應商，鎧俠在行業(yè)中處于領導地位，特別是在NAND閃存芯片生產(chǎn)方面，鎧俠是世界上頂級的生產(chǎn)商之一，全球市場份額僅次于三星。鎧俠在2012年曾全球首發(fā)24層BiCS1 3D NAND Flash，并在后續(xù)不斷優(yōu)化和發(fā)展，現(xiàn)已成功開發(fā)出162層BiCS6 3D NAND Flash，為固態(tài)硬盤帶來更強勁的性能?。
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