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【TI主營】半橋GaN驅(qū)動器 LMG1025QDEETQ1 用于高側(cè)和低側(cè)輸出

【TI主營】半橋GaN驅(qū)動器 LMG1025QDEETQ1 用于高側(cè)和低側(cè)輸出

來源:本站時間:2023-02-18瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司長期推出TI 低側(cè)驅(qū)動器 LMG1025QDEETQ1 適用于窄脈沖應(yīng)用、具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器?。?!

深圳市明佳達電子有限公司長期推出TI 低側(cè)驅(qū)動器 LMG1025QDEETQ1 適用于窄脈沖應(yīng)用、具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器?。?!


型號:LMG1025QDEETQ1

年份:最新

封裝:WSON-6


描述:

LMG1025/LMG1025-Q1半橋GaN驅(qū)動器旨在驅(qū)動同步降壓、升壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的100V自舉二極管和獨立輸入,用于高側(cè)和低側(cè)輸出,以實現(xiàn)最大的控制靈活性。使用自舉技術(shù)生成高側(cè)偏置電壓,在5V進行內(nèi)部鉗位。該特性防止柵極電壓超過增強型GaN FET的最大柵極-源極額定電壓。LMG1205/LMG1025-Q1的輸入兼容TTL邏輯,無論VDD電壓如何,都可以耐受高達14V的輸入電壓。LMG1205/LMG1205-Q1具有分離柵極輸出,允許單獨而靈活地調(diào)節(jié)導通和關(guān)斷強度。

此外,LMG1205/LMG1025-Q1具有強大的灌電流能力,可將柵極保持在低電平狀態(tài),從而防止開關(guān)過程中意外接通。LMG1205/LMG1025-Q1的工作頻率高達幾MHz。LMG1205/LMG1025-Q1采用12引腳DSBGA封裝,占位面積緊湊,封裝電感最小。LMG1025-Q1器件符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標準。


特性

獨立的高側(cè)和低側(cè)TTL邏輯輸入

1.2A峰值電流,5A灌電流

高側(cè)浮動偏置電壓軌,工作電壓高達100VDC

內(nèi)部自舉電源電壓鉗位

分離輸出,用于可調(diào)導通和關(guān)斷強度

0.6?下拉電阻、2.1?上拉電阻

快速傳播時間(典型值35ns)

優(yōu)秀的傳播延遲匹配(典型值1.5ns)

電源軌欠壓鎖定

低功耗


應(yīng)用范圍

電流饋送推挽轉(zhuǎn)換器

半橋和全橋轉(zhuǎn)換器

同步降壓轉(zhuǎn)換器

雙開關(guān)正向轉(zhuǎn)換器

有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器


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