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雙N 溝道《PMGD280UN》MOSFET陣列 20V 870mA 400mW 表面貼裝 6-TSSOP

雙N 溝道《PMGD280UN》MOSFET陣列 20V 870mA 400mW 表面貼裝 6-TSSOP

來源:本站時(shí)間:2023-02-20瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司長期供應(yīng)正品原裝雙N 溝道《PMGD280UN?》MOSFET 陣列 20V 870mA 400mW 表面貼裝 6-TSSOP,大量工廠庫存,歡迎聯(lián)系陳先生,QQ1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@163.com?。?!

深圳市明佳達(dá)電子有限公司長期供應(yīng)正品原裝雙N 溝道《PMGD280UN》MOSFET 陣列 20V 870mA 400mW 表面貼裝 6-TSSOP,大量工廠庫存,歡迎聯(lián)系陳先生,QQ1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@163.com?。。?/span>


產(chǎn)品型號(hào):PMGD280UN

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-6

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 870 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 340 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 450 mV

Qg-柵極電荷: 0.89 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 400 mW

通道模式: Enhancement

工廠包裝數(shù)量: 3000


應(yīng)用

驅(qū)動(dòng)器電路 

便攜式電器中的開關(guān)

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