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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

GS-065-030-6-LT-TR

產(chǎn)品說明:700V CoolGaN?功率晶體管,具有極高的效率和可靠性

封裝:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-MR

產(chǎn)品說明:700V CoolGaN?功率晶體管,具有極高的效率和可靠性

封裝:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-018-2-L-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 650V,18A,GaN E-模式,8x8 PDFN,底部冷卻

封裝:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-2-L-TR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 650V,11A,GaN E-mode,8x8 PDFN,底部冷卻

封裝:PDFN 8x8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LL-MR

產(chǎn)品說明:CoolGaN?晶體管 700 G4,具有極高的效率和可靠性

封裝:TOLL-11
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-6-L-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)

封裝:PDFN 5x6
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-014-6-L-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)

封裝:PDFN 5x6
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-014-6-LR-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)

封裝:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-6-LR-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)

封裝:PDFN 8x8
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-1-L-TR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 650V,11A,GaN E-模式,5x6 PDFN,底部冷卻

封裝:PDFN 5x6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-004-6-L-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 4.6A(Tc) 8-PDFN(5x6)

封裝:PDFN 5x6
10起
250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-008-6-L-MR

產(chǎn)品說明:GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 8.8A(Tc) 8-PDFN(5x6)

封裝:PDFN 5x6
10起
1250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LR-MR

產(chǎn)品說明:CoolGaN? 晶體管 700 V G4 實現(xiàn)極致效率和可靠性

封裝:PDFN-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G007MUV-LBE2

產(chǎn)品說明:Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率級IC

封裝:VQFN-46
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CGH40006S

產(chǎn)品說明:射頻晶體管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 W

封裝:QFN-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CGHV27060MP

產(chǎn)品說明:60 W; DC至2700MHz; 50 V; 面向LTE和脈沖雷達(dá)應(yīng)用的GaN HEMT

封裝:QSOP-20
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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