商品名稱：CAB425M12XM3
數(shù)據(jù)手冊：
CAB425M12XM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
CAB425M12XM3 SiC 半橋模塊最大限度地發(fā)揮了 SiC 的優(yōu)勢，同時保持了系統(tǒng)設(shè)計的穩(wěn)健性、簡潔性和成本效益。該模塊的重量和體積僅為標準 62 毫米模塊的一半。XM3 電源模塊最大限度地提高了功率密度，同時最大限度地降低了環(huán)路電感，實現(xiàn)了簡單的電源總線。XM3 的碳化硅優(yōu)化封裝可實現(xiàn) +175°C 連續(xù)結(jié)溫工作。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：450A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 425A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 115mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：1135nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：30.7nF @ 800V
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應用
● 電機和牽引驅(qū)動
● 汽車快速充電器
● 不間斷電源
● 智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…電話咨詢：86-755-83294757
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