商品名稱:CAB400M12XM3
數(shù)據(jù)手冊:CAB400M12XM3.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CAB400M12XM3半橋模塊是1200V和400A全碳化硅、開關(guān)損耗優(yōu)化型模塊。該模塊采用高密度占位,可在高結(jié)溫下工作。模塊采用6.7nH低電感設(shè)計(jì),并實(shí)施了開關(guān)損耗優(yōu)化的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。該模塊采用可簡化母線設(shè)計(jì)的端子布局、集成溫度檢測功能、專用漏極開爾文引腳、氮化硅絕緣體和銅基板。典型應(yīng)用包括不間斷電源 (UPS)、電動汽車充電器以及電機(jī)和牽引驅(qū)動器。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 N-通道(雙)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):395A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):5.3毫歐 @ 400A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 92mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):908nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2450pF @ 800V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應(yīng)用
● 電機(jī)和牽引驅(qū)動
● 汽車快速充電器
● 不間斷電源
● 智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話咨詢:86-755-83294757
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