商品名稱:IGO60R042D1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IGO60R042D1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-DSO-20
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGO60R042D1 CoolGaN? 600V 增強(qiáng)型功率晶體管具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷速度、最低開關(guān)損耗,并可實(shí)現(xiàn)具有最高效率的簡單半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
該系列氮化鎵 HEMT 采用最佳功率耗散 SMD 封裝,適合需要緊湊型器件(帶或不帶散熱器)的應(yīng)用。
CoolGaN? 600 V 系列氮化鎵器件通過了全面的氮化鎵定制認(rèn)證,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)。
DSO-20-85 封裝是一種引線式 SMD 封裝,專為需要底部冷卻封裝的大功率 SMPS 而設(shè)計(jì)。它適用于數(shù)據(jù)通信和服務(wù)器 SMPS、電信和可再生能源以及要求最高效率或功率密度的眾多其他應(yīng)用。
特征描述
適合功率密度驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中最佳系統(tǒng)解決方案尺寸的最佳功率耗散頂部和底部冷卻 GaN HEMT
CoolGaN? 600 V 系列,GaN 定制資格認(rèn)證
優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
降低系統(tǒng)成本
減少電磁干擾
潛在應(yīng)用
工業(yè)
電信
基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)中心 SMPS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PDFN 5x6
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)
INFINEON
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1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)
INFINEON
PDFN 8x8
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)
INFINEON
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GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…PASCO2V15
XENSIV? PASCO2V15是一款真正的 CO2 傳感器,它將近紅外技術(shù)與英飛凌的高信噪比 MEMS 麥克風(fēng)相結(jié)合,以極小的外形實(shí)現(xiàn)了最先進(jìn)的精度。CY8C4025LQS-S413
CY8C4025LQS-S413是一款采用Arm Cortex -M0+ CPU的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器,同時(shí)符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。PSoC 4000S產(chǎn)品系列是PSoC 4平臺(tái)架構(gòu)的一員。它由帶標(biāo)準(zhǔn)通信和時(shí)序外設(shè)的微控制器、具有同類最佳性能的電容式觸摸檢測(cè)系統(tǒng)(CAPSENSE)、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開關(guān)電容模擬…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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