商品名稱:S70KL1283DPBHV023
數(shù)據(jù)手冊(cè):S70KL1283DPBHV023.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-VBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
S70KL1283DPBHV023 是帶有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS 接口主控器(主機(jī))不主動(dòng)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會(huì)管理 DRAM 陣列的刷新操作。由于主機(jī)無(wú)需管理任何刷新操作,因此在主機(jī)看來(lái),DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲(chǔ)器,無(wú)需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)器更準(zhǔn)確的描述是偽靜態(tài) RAM(PSRAM)。
特點(diǎn)
HYPERBUS 接口
支持 1.8V / 3.0V 接口
單端時(shí)鐘 - 11 個(gè)總線信號(hào)
可選差分時(shí)鐘 - 12 個(gè)總線信號(hào)
8 位數(shù)據(jù)總線
硬件復(fù)位
雙向讀寫(xiě)數(shù)據(jù)選通
在所有事務(wù)開(kāi)始時(shí)輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀數(shù)據(jù)選通輸出
在寫(xiě)入事務(wù)期間作為寫(xiě)入數(shù)據(jù)屏蔽輸入
可選的 DDR 中心對(duì)齊讀取選通
在讀取事務(wù)期間,RWDS 由第二個(gè)時(shí)鐘偏移,與 CK 相移
相移時(shí)鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動(dòng) RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿
最大時(shí)鐘速率為 200MHz
DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400MBps
可配置的突發(fā)特性
封裝突發(fā)長(zhǎng)度
混合選項(xiàng)--64Mb 上的一個(gè)包裹突發(fā)后是線性突發(fā)。不支持跨芯片邊界的線性突發(fā)。
可配置的輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Winbond
WLCSP-49
2000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-WFBGA(4x4)
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車(chē)CoolSiC MOSFET專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類(lèi)型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車(chē)用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: