商品名稱:FS380R12A6T4BBPSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS380R12A6T4BBPSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:100 件
這HybridPACK?帶 IGBT4 和二極管的驅(qū)動(dòng)模塊是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的電源模塊,專為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車應(yīng)用. 產(chǎn)品 FS380R12A6T4B 配備 PinFin 基板和高性能陶瓷。
規(guī)格
IGBT 類型 溝槽型場(chǎng)截止
配置 三相反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 380 A
功率 - 最大值 870 W
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值) 1.95V @ 15V,250A
電流 - 集電極截止(最大值) 1 mA
輸入 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻 是
工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應(yīng)商器件封裝 AG-HYBRIDD-1
應(yīng)用
汽車應(yīng)用
混合動(dòng)力和電池電動(dòng)汽車
商用、建筑和農(nóng)用車輛
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
MODULE
2000
IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 750 V 450 A 1053 W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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