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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):IGT60R190D1SATMA1
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
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IGT60R190D1SATMA1-CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優(yōu)勢(shì),包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對(duì)于硅的極高質(zhì)量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術(shù),設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)模式電源中的超高效率和功率密度。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): GaN
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV
Qg-柵極電荷: 3.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 55.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolGaN
配置: Single
下降時(shí)間: 12 ns
產(chǎn)品: CoolGaN
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 5 ns
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
單位重量: 745 mg
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PDFN 5x6
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)
INFINEON
PDFN 5x6
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)
INFINEON
PDFN 8x8
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)
INFINEON
PDFN 8x8
1250
GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(8x8)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…CY8C4025LQS-S413
CY8C4025LQS-S413是一款采用Arm Cortex -M0+ CPU的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器,同時(shí)符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。PSoC 4000S產(chǎn)品系列是PSoC 4平臺(tái)架構(gòu)的一員。它由帶標(biāo)準(zhǔn)通信和時(shí)序外設(shè)的微控制器、具有同類(lèi)最佳性能的電容式觸摸檢測(cè)系統(tǒng)(CAPSENSE)、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開(kāi)關(guān)電容模擬…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類(lèi)型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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