商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:25000 件
NTBGS1D5N06C單N溝道功率MOSFET是一款小尺寸、設(shè)計(jì)緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗。這些單N溝道功率MOSFET不含鉛,符合RoHS指令,工作溫度范圍為- 55°C至175°。
參數(shù):
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :35A(Ta),267A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V,12V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.55 毫歐 @ 64A,12V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 318μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 78.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) :6250 pF @ 30 V
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),211W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: TO-263(D2PAK)
封裝/外殼: TO-263-7,D2PAK(6 引線 + 凸片)
典型應(yīng)用
電動(dòng)工具、電池驅(qū)動(dòng)真空吸塵器
無(wú)人機(jī)/無(wú)人駕駛飛機(jī)、材料處理
BMS/ 存儲(chǔ)、家庭自動(dòng)化
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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介紹:NFAP2060R4TT是一款完全集成的逆變器功率級(jí)IPM模塊,由1個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、6個(gè)IGBT和1個(gè)熱敏電阻器組成,適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步 (PMSM) 電機(jī)、無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)和交流異步電機(jī)。產(chǎn)品:NFAP2060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:20 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2…NFAP1560R4TT
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概述:NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級(jí)IPM,由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、六個(gè)IGBT和一個(gè)熱敏電阻組成,適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步(PMSM)電機(jī)、無(wú)刷DC (BLDC)電機(jī)和交流異步電機(jī)。產(chǎn)品:NFAP1060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:10 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms…電話咨詢:86-755-83294757
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