NTHL099N60S5屬于SuperFET? V MOSFET Easy Drive 系列具有出色的開關性能，同時不會犧牲易用性和 EMI 問題，適用于硬開關和軟開關拓撲結構。
特性
? 650 V @ TJ= 150°C
? 典型值 RDS(on)= 79.2 m
? 100% 通過雪崩測試
? 無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)范
系列： SuperFET? V
FET 類型： N 通道
技術： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：33A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） ：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 99 毫歐 @ 13.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 2.8mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）： 184W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 通孔
供應商器件封裝： TO-247-3
應用
? 電信/服務器電源
? 電動汽車充電器/UPS/太陽能/工業(yè)電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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NFAP1060R4TT
概述：NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM，由一個高壓驅動器、六個IGBT和一個熱敏電阻組成，適用于驅動永磁同步(PMSM)電機、無刷DC (BLDC)電機和交流異步電機。產(chǎn)品：NFAP1060R4TT類型：IPM 模塊配置：三相反相器電流：10 A電壓：600 V電壓 - 隔離：2000Vrms…電話咨詢：86-755-83294757
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