商品名稱：IAUC60N04S6N031H
數(shù)據(jù)手冊：
IAUC60N04S6N031H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：PG-TDSON-8-56
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IAUC60N04S6N031H是一款60A 40V 雙N 通道MOSFET，采用PG-TDSON-8-56無引線封裝。Infineon OptiMOS? 5功率MOSFET的設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù)，經(jīng)優(yōu)化可達(dá)到并超過能源效率和功率密度要求。
產(chǎn)品規(guī)格：
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個 N 通道（半橋）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.1 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 25μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1922pF @ 25V
功率 - 最大值：75W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-56
基本產(chǎn)品編號：IAUC60
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
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IPT025N15NM6
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