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收購IGBT(onsemi)NXH50M65L4C2ESG TMPIM 650 V 50 A 轉換器-逆變器-PFC模塊

收購IGBT(onsemi)NXH50M65L4C2ESG TMPIM 650 V 50 A 轉換器-逆變器-PFC模塊

來源:本站時間:2023-09-14瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司出售、收購IGBT(onsemi)NXH50M65L4C2ESG TMPIM 650 V 50 A 轉換器-逆變器-PFC模塊。簡介NXH50M65L4C2ESG是一款采用先進基板的傳遞模塑電源模塊,包含一個轉換器-逆變器-PFC電路,該電路由四個75 A、1600 V整流器的單相轉換器、六個帶反向二極管…

深圳市明佳達電子有限公司出售、收購IGBT(onsemi)NXH50M65L4C2ESG TMPIM 650 V 50 A 轉換器-逆變器-PFC模塊。


簡介

NXH50M65L4C2ESG是一款采用先進基板的傳遞模塑電源模塊,包含一個轉換器-逆變器-PFC電路,該電路由四個75 A、1600 V整流器的單相轉換器、六個帶反向二極管的50 A、600 V IGBT、兩個帶反向二極管的75 A、650 V PFC IGBT的2通道交錯式PFC、兩個50 A、650 V PFC二極管和一個NTC熱敏電阻組成。

產(chǎn)品.png

特性

?2通道交錯式PFC,具有寬開關頻率18 kHz~65 kHz

?低熱阻基板,實現(xiàn)低熱阻

?引腳與散熱器之間的間隙為6 mm

?緊湊的73 mm X 40 mm X 8 mm封裝

?可焊接引腳

?熱敏電阻

?不含鉛,不含鹵素/BFR,符合RoHS規(guī)范符合要求


技術參數(shù)

IGBT 類型:-

配置:三相反相器

電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):50 A

功率 - 最大值:20 mW

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,75A

電流 - 集電極截止(最大值):250 μA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies):2.608 nF @ 20 V

輸入:單相橋式整流器

NTC 熱敏電阻:是

工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:27-PowerDIP 模塊(1.858",47.20mm)

供應商器件封裝:27-DIP

封裝.png

應用

?工業(yè)電機驅(qū)動

?伺服驅(qū)動器


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