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供應(yīng) NXP PMDXB600UNE 雙 N 溝道溝槽 MOSFET 晶體管

供應(yīng) NXP PMDXB600UNE 雙 N 溝道溝槽 MOSFET 晶體管

來源:本站時間:2023-09-15瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) NXP PMDXB600UNE 雙 N 溝道溝槽 MOSFET 晶體管產(chǎn)品描述PMDXB600UNE 是采用溝槽 MOSFET 技術(shù)的雙 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,采用無鉛超小型 SOT1216 表面貼裝器件塑料封裝。特點(diǎn)溝槽 MOSFET 技術(shù)無引線超小超薄 SMD 塑料封裝:1.1 1.0 0…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) NXP PMDXB600UNE 雙 N 溝道溝槽 MOSFET 晶體管


產(chǎn)品描述

PMDXB600UNE 是采用溝槽 MOSFET 技術(shù)的雙 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,采用無鉛超小型 SOT1216 表面貼裝器件塑料封裝。


特點(diǎn)

溝槽 MOSFET 技術(shù)

無引線超小超薄 SMD 塑料封裝:1.1 × 1.0 × 0.37 毫米

外露漏極焊盤,具有出色的熱傳導(dǎo)性能

靜電放電 (ESD) 保護(hù) > 1 kV HBM

漏極-源極導(dǎo)通電阻 RDSon = 470 mΩ


應(yīng)用

繼電器驅(qū)動器

高速線路驅(qū)動器

低端負(fù)載開關(guān)

開關(guān)電路


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