商品名稱：PSMN1R2-55SLHAX
數(shù)據(jù)手冊：
PSMN1R2-55SLHAX.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：LFPAK88
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
PSMN1R2-55SLHAX 55V MOSFET采用LFPAK88封裝，提供330A持續(xù)電流。該MOSFET專為需要強大雪崩能力、線性模式性能、在高開關(guān)頻率下使用以及在高負載電流下安全可靠開關(guān)的36V電池供電應(yīng)用而設(shè)計。
規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：330A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.03 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：395 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：25773 pF @ 27 V
FET 功能：肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值）：375W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK88（SOT1235）
封裝/外殼：SOT-1235
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復(fù)雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。特性：增強模式－常關(guān)電源開關(guān)雙向器件超高開關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…
GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件，具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性：增強模式－常關(guān)電源開關(guān)超高頻開關(guān)能力無體二極…電話咨詢：86-755-83294757
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