商品名稱：BSZ010NE2LS5
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：TSDSON-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
描述：BSZ010NE2LS5功率MOSFET是優(yōu)化效率和功率密度解決方案的最佳選擇，例如開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。與之前的OptiMOS MOSFET產(chǎn)品相比，RDS（on）顯著降低，從而提高了系統(tǒng)效率。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3900 pF @ 12 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-FL
封裝/外殼：8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號：BSZ010
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
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IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
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IPT025N15NM6
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