BSC088N15LS5具有 8.8/12 mOhm 的超低 RDS(on)（VGS = 10 V/4.5 V）和 21 nC 的超低 Qg（VGS = 4.5 V），采用行業(yè)標準 SuperSO8 封裝，可在小型輕量的 USB-PD EPR 充電器和適配器應用中實現最佳熱管理。
產品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11.7A（Ta），87A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.8 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 107μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：26 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3500 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），139W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TDSON-8
封裝/外殼：8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IAUCN04S7N019D
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