商品名稱：N 溝道MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TDSON-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSC105N15LS5采用行業(yè)標準 SuperSO8 封裝，具有 10.5/14 mOhm（VGS = 10 V/4.5 V）的超低 RDS(on)和 18.1 nC（VGS = 4.5 V）的超低 Qg，可為小型輕量級 USB-PD EPR 充電器和適配器應用實現(xiàn)最佳熱管理。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10.7A（Ta），76A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10.5 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 91μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3000 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），125W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TDSON-8
封裝/外殼：8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
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IPT025N15NM6
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