商品名稱：N 溝道MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TO263-7
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPF067N20NM6是N 溝道MOSFET，正常電平，極低的開電阻 RDS（導通）。卓越的柵極充電 x 開路電阻產(chǎn)品（FOM），極低反向恢復電荷（Qrr），高雪崩能級。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15.4A (Ta), 138A (Tc)
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：6.2mOhm @ 100A, 15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 253μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7300 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），300W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TO263-7-3
封裝/外殼：TO-263-7，D2PAK（6 引線 + 凸片）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D
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