商品名稱：N 溝道 MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TO247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
AIMZHN120R120M1T憑借英飛凌的性能優(yōu)化芯片技術（Gen1p），SiC Mosfet 具有同類最佳的開關性能、對寄生開通的穩(wěn)健性以及改進的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本，使其成為車載充電器和 DCDC 應用的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術：SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：150 毫歐 @ 7A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.1V @ 2.2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：18 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+23V，-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：458 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）：133W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：PG-TO247-4-14
封裝/外殼：TO-247-4
應用
板載充電器
直流/直流轉換器
輔助驅動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…
AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R040M1TFET 類型：N 通…
AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET，采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R060M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連…
AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R080M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢：86-755-83294757
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