商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
AIMZHN120R080M1T車(chē)用1200V G1 SiC溝槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。具有高功率密度、出色的效率、雙向充電能力以及顯著降低系統(tǒng)成本等特性,因此非常適合用于車(chē)載充電器和DC-DC應(yīng)用。TO和SMD元件還設(shè)有開(kāi)爾文源極引腳,可優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。
特性
革命性的碳化硅半導(dǎo)體材料
非常低的切換損失
導(dǎo)通電壓VGS(on) 增加20V
IGBT兼容型驅(qū)動(dòng)電壓
0V關(guān)斷柵極電壓
基準(zhǔn)柵極閾值電壓:VGS(the) = 4.5V
同類最佳的開(kāi)關(guān)能量
低器件電容
無(wú)閾值導(dǎo)通狀態(tài)特性
與溫度無(wú)關(guān)的關(guān)閉開(kāi)關(guān)損耗
.XT芯片連接技術(shù),具有出色的散熱性能
完全可控的dv/dt
檢測(cè)引腳,可優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能
適合高壓爬電要求
薄型引線,降低了焊接橋的風(fēng)險(xiǎn)
換向魯棒體二極管,可用于同步整流
工作溫度范圍:-55°C至+175°C
無(wú)鉛、無(wú)鹵、符合RoHS指令
應(yīng)用
車(chē)載充電器和PFC
升壓器和直流/直流轉(zhuǎn)換器
輔助逆變器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車(chē)CoolSiC MOSFET專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車(chē)用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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