商品名稱：HBM2E Flashbolt DRAM
品牌：SAMSUNG
年份：24+
封裝：MPGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
HBM2E Flashbolt 能夠提升 AI 的能力，通過其擴展的容量處理更多大數(shù)據(jù)，并提供高帶寬。
與上一代 HBM 解決方案相比，HBM2E Flashbolt 在能效方面提高了約 18%，并增加了約 1K 的電源凸塊。這確保了更安全的電力供應(yīng)，消耗更少的能源。
KHAA44801B-MC16
規(guī)格
容量：8GB
架構(gòu)：1024
速率：3.2 Gbps
刷新：32 ms
封裝：MPGA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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K4UCE3Q4AA-MGCR 是用于移動設(shè)備的 64Gbit LPDDR4X 動態(tài)隨機存儲器 (DRAM) IC。三星用于移動設(shè)備的超快 LPDDR4X 創(chuàng)新技術(shù)推動了全球移動 DRAM 市場的發(fā)展，帶來了更智能、更具創(chuàng)造性的可能性。K4UCE3Q4AA-MGCR - 產(chǎn)品規(guī)格封裝：FBGA-200類型：64Gbit LPDDR4X DRAM 存儲器…
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K3LK6K60BM-BGCP - 低功耗 DRAM 存儲器 IC描述K3LK6K60BM-BGCP 是 128 Gb 低功耗動態(tài)隨機存取存儲器。LPDDR5 為移動和汽車設(shè)備帶來了全新的速度。5G、人工智能、先進(jìn)的攝像頭技術(shù)和顯示選項的用戶體驗更上一層樓，未來的用戶體驗在今天成為現(xiàn)實。規(guī)格密度：128 Gb組織：x…電話咨詢：86-755-83294757
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