商品名稱:DRAM 存儲(chǔ)器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-96
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
AS4C512M16D3LC-10BIN 8Gb(雙芯片)雙數(shù)據(jù)速率-3L DRAM 采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。其內(nèi)部配置為八組 DRAM。
AS4C512M16D3LC-10BIN 的特點(diǎn)
使用兩個(gè) 4Gb x8 芯片組成一個(gè) x16 封裝--單排雙芯片
符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
電源: VDD 和 VDDQ = +1.35V
向后兼容 VDD 和 VDDQ =+1.5V±0.075V
支持 JEDEC 時(shí)鐘抖動(dòng)規(guī)范
完全同步運(yùn)行
快速時(shí)鐘速率: 800/933MHz
差分時(shí)鐘、CK 和 CK#
雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通--DQS 和 DQS#
8 個(gè)內(nèi)部存儲(chǔ)庫,可同時(shí)運(yùn)行
8n 位預(yù)取架構(gòu)
流水線內(nèi)部結(jié)構(gòu)
預(yù)充電和主動(dòng)掉電
可編程模式和擴(kuò)展模式寄存器
加法延遲 (AL):0、CL-1、CL-2
可編程突發(fā)長度:4、8
突發(fā)類型 順序/交錯(cuò)
輸出驅(qū)動(dòng)器阻抗控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SAMSUNG
FBGA-200
2000
用于移動(dòng)設(shè)備的 64Gbit LPDDR4X 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM) IC
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。該存儲(chǔ)器分為多個(gè)可獨(dú)立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。型號(hào):AS9F38G08SA-25BI…AS9F34G08SA-25BIN
型號(hào):AS9F34G08SA-25BIN封裝:FBGA-63類型:NAND 閃存存儲(chǔ)器詳細(xì)描述:AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲(chǔ)器類型:非易失存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲(chǔ)容量:4Gb存儲(chǔ)器組織:512M x …AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲(chǔ)器類型:非易失存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲(chǔ)容量:4Gb存儲(chǔ)器組織:512M x 8存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)寫周期時(shí)間 - 字,頁:25ns,700s訪問時(shí)間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供了最具成本效益的解決方案。該存儲(chǔ)器分為…AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb(1M x 16 位)低功耗 CMOS SRAM,帶可切換 IO 選項(xiàng)(x16 或 x8)AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述:AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部有十六個(gè)存儲(chǔ)塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預(yù)取架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格類型: SDRAM - DDR4 內(nèi)存大?。? Gbit 數(shù)據(jù)總線寬度:8 位 最高時(shí)鐘頻率: 1.6 GHz 封裝/外殼 FBGA-78 組織結(jié)構(gòu) 1 G x 8 電…電話咨詢:86-755-83294757
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