商品名稱:DRAM 存儲器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-96
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
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AS4C512M16D4-75BIN 是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器,內部結構為 16 塊。
SpecificationsOf AS4C512M16D4-75BIN
內存大?。?4 Mbit
數(shù)據(jù)總線寬度:16 位
最大時鐘頻率:166 MHz
封裝/外殼:TSOPII-54
組織結構 4 M x 16
訪問時間:5 毫微秒
電源電壓 - 最低 3 V
電源電壓 - 最大值:3.6 V
最低工作溫度:- 40 C
最高工作溫度 + 85 C
AS4C512M16D4-75BIN 的特性
1.2V 偽開漏接口
8n 預取架構
內部 VREFDQ 訓練
可編程數(shù)據(jù)選通前置信號
數(shù)據(jù)選通前置信號訓練
命令/地址延遲 (CAL)
多用途寄存器讀取和寫入功能
寫入和讀取電平
自動刷新和自刷新模式
低功耗自動自我刷新 (LPASR)
通過 DRAM 內置 TS 實現(xiàn)自動自我刷新 (ASR)
細粒度刷新
自刷新中止
最大省電
輸出驅動器校準
可配置的片上終端 (ODT)
數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)總線反轉 (DBI)
命令/地址 (CA) 奇偶校驗
數(shù)據(jù)總線寫循環(huán)冗余校驗 (CRC)
每個 DRAM 尋址能力
連接性測試(x16)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Alliance Memory 是一家生產傳統(tǒng)和新技術存儲器產品的全球化無晶圓廠制造商,其產品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產品。他們的產品組合包括與主流數(shù)字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
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